epitaxy

💡 IQE, established in the 1980s, produces a type of epitaxy wafer in Newport which is a vital component of compound semiconductors.

شرکت IQE که در دهه ۱۹۸۰ تأسیس شد، نوعی ویفر اپیتاکسی در نیوپورت تولید می‌کند که جزء حیاتی نیمه‌رساناهای مرکب است.

💡 The lab’s epitaxy furnace required meticulous calibration; subtle temperature gradients created islands of frustration on otherwise promising wafers.

کوره اپیتاکسی آزمایشگاه نیاز به کالیبراسیون دقیقی داشت؛ گرادیان‌های دمایی نامحسوس، جزایری از ناامیدی را روی ویفرهای نویدبخش ایجاد می‌کرد.

💡 Effect of growth stoichiometry on the electrical activity of screw dislocations in GaN films grown by molecular-beam epitaxy.

تأثیر استوکیومتری رشد بر فعالیت الکتریکی نابجایی‌های پیچی در لایه‌های نازک GaN رشد یافته با روش اپیتاکسی پرتو مولکولی.

💡 Conversations about epitaxy inevitably include dislocations, strain, and the expensive patience demanded by perfection measured in nanometers.

گفتگوها در مورد اپیتاکسی ناگزیر شامل نابجایی‌ها، کرنش و صبر پرهزینه‌ای است که برای کمال در مقیاس نانومتر لازم است.

💡 Semiconductor engineers rely on epitaxy to grow defect-minimized layers, aligning lattices so electrons travel swiftly rather than scattering wastefully.

مهندسان نیمه‌هادی برای رشد لایه‌هایی با نقص حداقلی و هم‌تراز کردن شبکه‌ها به اپیتاکسی متکی هستند تا الکترون‌ها به جای پراکندگی بی‌فایده، به سرعت حرکت کنند.

💡 In semiconductor development, a particularly promising application is molecular-beam epitaxy (MBE).

در توسعه نیمه‌هادی‌ها، یک کاربرد نویدبخش، اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) است.