ژرمانیوم

شبه فلزی خاکستری رنگ، شکننده، و کمی سمّی که در ۹۵۸ درجه حرارت ذوب می شود و در ساخت ترانزیستورها و برخی قطعات الکتریکی به کار می رود.

💡 عریض شدن ناحیه تخلیه به‌صورت سَدی عمل می‌کند که مانع از حرکت حامل‌های بار در سراسر محل پیوند می‌شود، به جز جریان نشتی معکوس جزئی که اغلب برای دیودهای ژرمانیوم حدود ۱ میلی‌آمپر و برای دیودهای سیلیکون ۱ میکروآمپر است.

💡 در میانهٔ قرن بیستم کنترل ساختار الکترونیکی مواد نیمه‌رسانا با ساخت شمش‌های بسیار خالص سلیسیوم و ژرمانیوم بسیار مهم شده‌بود. بررسی ترکیب شیمیایی و کنترل غلظت عناصر سازندهٔ نیمه‌رساناها باعث اختراع ترانزیستور در سال ۱۹۵۱ شد. این دستاورد سبب ساخت تراشه‌ها برای استفاده در دستگاه‌های الکترونیکی مانند کامپیوتر شد.

💡 در اجسام نیم رسانا شکاف انرژی برای سیلسیوم ۱٫۱ الکترون ولت و برای ژرمانیوم ۰٫۶۷ الکترون ولت می‌باشد، یعنی یک الکترون و نوار ظرفیت قادر خواهد بود با کسب این مقدار انرژی باند ظرفیت را ترک نموده، با طی نمودن گاف انرژی خود را به تراز هدایت یا رسانش رسانده و به عنوان الکترون آزاد برای برقراری جریان الکتریکی مؤثر باشد.