دی الکتریک همسانگرد

💡 نیترید سیلیکون رسوب شده توسط LPCVD حاوی حداکثر 8 درصد هیدروژن است. همچنین تنش کششی شدیدی را تجربه می‌کند که ممکن است باعث ضخامت فیلم‌های ضخیم تر از 200 شود نانومتر با این حال، مقاومت و مقاومت دی الکتریک بالاتری نسبت به بسیاری از عایق‌های معمول در تولید میکرو (10 16 Ω· سانتی متر و 10 به ترتیب MV / cm).

💡 ظرفیت آن متناسب محصول سطح یک صفحه است که ضریب نفوذپذیری آن برابر با ضخامت دی الکتریک است.

💡 در تحلیل‌های الکترومغناطیسی، رفتار یک دی الکتریک همسانگرد به گونه‌ای است که خواص فیزیکی آن در تمامی جهت‌های مختلف یکسان و یکنواخت می‌باشد.

💡 برای ساده‌سازی معادلات ریاضی در فیزیک، فرض می‌شود که ماده مورد نظر یک دی الکتریک همسانگرد است که در آن تانسور پذیرش از نوع اسکالر است.

💡 ویژگی‌های اصلی یک دی الکتریک همسانگرد این است که بردار جابجایی الکتریکی و بردار میدان الکتریکی هم‌جهت بوده و با هم رابطه خطی دارند.