شدت مغناطش

💡 هنگامی که یک میدان مغناطیسی خارجی به یک ماده فرو مغناطیس اعمال می‌شود، مغناطش (M) با قدرت میدان مغناطیسی(H) افزایش می‌یابد تا آنکه اشباع شود. در برخی از محدوده میدان‌ها مغناطش دارای پسماند است زیرا بیش از یک حالت مغناطیسی پایدار برای هر میدان وجود دارد؛ بنابراین، مغناطش باقی‌مانده حتی پس از حذف میدان مغناطیسی خارجی نیز حضور خواهد داشت.

💡 یک سلول از حافظه دسترسی-تصادفی مغناطومقاومت (MRAM) ساختاری شبیه به حسگر چرخشی دارد. مقدار بیت‌های ذخیره شده را می‌توان از طریق جهت مغناطش در لایه حسگر رمزگذاری کرد که با اندازه‌گیری مقاومت ساختار خوانده می‌شود. از مزایای این فناوری می‌توان به استقلال منبع تغذیه (اطلاعات هنگام قطع شدن برق به دلیل وجود سد احتمالی جهت تغییر جهت مغناطیس حفظ می‌شود)، مصرف کم انرژی و سرعت زیاد اشاره کرد.

💡 ، باید به‌طور پیوسته از بی‌نهایت به مقداری محدود تغییر کند. این سبب می‌شود تا تابع همبستگی یک وابستگی قانون-توانی از فاصله از نقطه بحرانی پیدا کند. این وابستگی برای یک ماده فرومغناطیس، در شکل سمت چپ نشان داده شده. جزئیات این شکل در بخش مغناطش آمده‌است.

💡 شدت مغناطش میدان در نزدیکی آهنربای دائمی به گونه‌ای است که می‌تواند فلزات را با نیروی بسیار زیادی به سمت خود بکشد و جابه‌جا کند.

💡 برای محاسبه دقیق شدت مغناطش در یک محیط فیزیکی پیچیده، دانشمندان از فرمول‌های ریاضی پیشرفته و ابزارهای اندازه‌گیری بسیار دقیق و حساس استفاده می‌کنند.

💡 تغییر ناگهانی در شدت مغناطش می‌تواند باعث ایجاد جریان‌های القایی در سیم‌پیچ‌های مجاور شود که در صنایع الکترونیک بسیار اهمیت زیادی دارد.