زدایش
فرهنگ فارسی
دانشنامه عمومی
در بسیاری از مراحل زدایش، از یک ماده به عنوان «ماسک» یا «محافظ» که در مقابل ماده خورنده مقاوم است استفاده می شود تا قسمت هایی خاصی تحت تأثیر قرار نگیرد. در بعضی موارد ماده مورد استفاده برای ماسک، یک لاک نوری ( به انگلیسی: Photoresist ) است که توسط فرایند طرح نگاری نوری ( به انگلیسی: Photolithography ) الگوی مورد نظر ایجاد می شود. در بعضی موارد نیاز به ماسکی با مقاومت بیشتر مانند سیلیکون نیترید است.
در اصل در فرایند تولید یک ریزساختار ابتدا ماسک مورد نظر که معمولاً لایه ای از کروم بر روی یک لایه شیشه است با کمک یک لایهٔ نگاتیو مانند، طرح دلخواه را پیدا می کند. سپس از این ماسک برای ساخت الگوی مورد نظر بر روی لایه فیلم نازک با استفاده از طرح نگاری نوری استفاده می شود. بعد از این مرحله است که فرایند زدایش به منظور پیش روی در زیر لایه فیلم نازک و درون ویفر پایه سیلیکون آغاز می شود.
به منظور ایجاد یک حفره در یک ماده به کمک «زدایش» می توان عمق این حفره را با توجه به زمان فرایند و همچنین نرخ «زدایش» مشخص کرد. در حالت کلی، در «زدایش» بالاترین لایه ماده باید به طور کلی از بین برود بدون آنکه به لایه های زیرین آسیبی برسد. دقت این فرایند به نرخ «زدایش» لایه سطحی و لایه های زیرین وابسته است. ( گزینندگی )
در بعضی فرایندهای زدایش، لایه ماسک زیربرش ( به انگلیسی: undercut ) می شود و دیواره های شیبداری زیر ماسک شکل می گیرد. به فاصله ای از سطح زیرین ماسک که توسط ماده شیمیایی خورده شده است «بایاس» می گویند. به مواد شیمیایی که موجب به وجود آمدن بایاس زیادتری می شوند، همسان گرد ( به انگلیسی: isotropic ) می گویند، چرا که این مواد لایه زیرین ماسک را در همه جهات به طور یکسان از بین می برند. در فرایندهای نوین تر، به دلیل تمایل به ایجاد خوردگی های دقیق با دیواره های تیزتر، استفاده از مواد ناهمسان گرد ارجحیت دارد.
دو نوع روش اصلی زدایش گری ( ماده خورنده ) عبارتند از: فاز - مایع ( مرطوب ) و فاز - پلاسما ( خشک ) . هرکدام از این روش ها خود به شیوه های متنوعی اجرا می شوند.
