سرعت رانش

{drift velocity} [فیزیک] سرعت میانگین حامل های بار الکتریکی تحت تأثیر میدان الکتریکی در نیم رساناها یا رساناها یا لوله های تخلیه

سرعت رانش ( سرعت سوق )، سرعتی است که وقتی به دو سر یک رسانای الکتریکی اختلاف پتانسیل اعمال کنیم الکترون های زسانش که با سرعت تقریبی 10به توان6 حرکت میکردند با سرعت 10 بتوان - 4یا - 5 سوق داده میشوند.
جریان الکتریکی متناسب با سرعت رانش است. سرعت رانش هم خود متناسب با میدان الکتریکی اعمال شده است. بنابراین سرعت رانش می تواند قانون اهم را توضیح دهد. دو معادله زیر ارتباط سرعت رانش با کمیتهای فیزیکی دیگر را نشان می دهند:
  J = σ ⋅ v که در آن J چگالی جریان٫   s i g m a چگالی بار و v سرعت رانش است.   v = μ ⋅ E
که در آن E میدان الکتریکی٫ μ تحرک پذیری وv سرعت رانش است.
• تحرک پذیری
• چگالی جریان
• ویکی پدیای انگلیسی: Drift velocity
• مقاله های خرد مهندسی
• فیزیک ماده چگال
• کمیت های فیزیکی
• حامل های بار
• جریان الکتریکی
• همه مقاله های خرد

سرعت میانگین حامل‌های بار الکتریکی تحت تأثیر میدان الکتریکی در نیم‏رساناها یا رساناها یا لوله‏های تخلیه.

💡 در خلأ الکترون‌ها تحت میدان الکتریکی طبق قانون دوم نیوتن شتاب می‌گیرند. این شتاب گرفتن پیوسته باعث می‌شود سرعت حرکت الکترون‌ها آن قدر زیاد شود که به سرعت‌های نسبیتی برسد. این پدیده که انتقال بالیستیکی نامیده می‌شود، باعث می‌شود که الکترون‌ها به سرعت رانش پایداری نرسند. در نتیجه تحرکپذیری برای الکترون‌ها در خلأ تعریف نمی‌شود.

💡 سرعت رانش، میانگین سرعت حامل‌های بار در جریان رانش است. سرعت رانش و جریان حاصله با تحرک‌پذیری مشخص می‌شود. برای جزئیات، به تحرک‌پذیری الکترون (برای جامدات) یا تحرک‌پذیری الکتریکی (برای بحث کلی تر) مراجعه کنید.

💡 در نیم‌رساناها سرعت رانش الکترون‌ها و حفره‌ها برای یک میدان الکتریکی اعمال شده متفاوت می‌باشد.

💡 سرعت الکترون بلوخ یا سرعت گروهی یک الکترون در یک جامد بلوری است که به شکل یک موج بلوخ حرکت می‌کند. این سرعت نشان می‌دهد که چگونه انرژی و سیگنال‌های الکترومغناطیسی در جامد منتشر می‌شوند. سرعت الکترون بلوخ معمولاً با سرعت نور برابری می‌کند، در حالی که سرعت رانش الکترون بسیار کمتر است. سرعت الکترون بلوخ به ویژه در مدل‌سازی ساختار باند الکترونیکی و خواص نوری و الکترونیکی جامدات مهم است.

💡 معمول‌ترین دلیل برای منطق نوری این است که زمان کلیدزنی ترانزیستور نوری می‌تواند بسیار سریع‌تر از ترانزیستورهای الکترونیکی معمولی باشد. این به این دلیل است که سرعت نور در یک محیط نوری به‌طور معمول بسیار بیشتر از سرعت رانش الکترون در نیم‌رساناها است.